服務(wù)范圍

廣電計(jì)量破壞性物理分析,DPA測(cè)試 元器件失效分析：集成電路芯片、電子元件、分立器件、機(jī)電類(lèi)器件、線纜及接插件、微處理器、可編程邏輯器件、存儲(chǔ)器、AD/DA、總線接?類(lèi)、 通?數(shù)字電路、模擬開(kāi)關(guān)、模擬器件、微波器件、電源類(lèi)等。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

●GJB128A-97半導(dǎo)體分?器件試驗(yàn)方法

●GJB360A-96電子及電?元件試驗(yàn)方法

●GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序

●GJB7243-2011J用電子元器件篩選技術(shù)要求

●GJB40247A-2006J用電子元器件破壞性物理分析方法

●QJ10003—2008進(jìn)口元器件篩選指南

●MIL-STD-750D半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法

●MIL-STD-883G微電子器件試驗(yàn)方法和程序

檢測(cè)項(xiàng)目

●非破壞性項(xiàng)目：外部目檢、X 射線檢查、PIND、密封、引出端強(qiáng)度、聲學(xué)顯微鏡檢查；

●破壞性項(xiàng)目：激光開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、內(nèi)部?體成分分析、內(nèi)部目檢、SEM檢查、鍵合強(qiáng)度、剪切強(qiáng)度、粘接強(qiáng)度、IC取芯片、 芯片去層、襯底檢查、PN結(jié)染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)、ESD測(cè)試

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿(mǎn)足其用途和相關(guān)規(guī)范的前提。?量假替翻新元器件充斥著元器件供應(yīng)市場(chǎng)，如何確定貨架元器件真?zhèn)问抢_元器件使用方的?大難題。

我們的優(yōu)勢(shì)

●破壞性物理分析,DPA測(cè)試 元器件失效分析提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析，其中針對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體?藝，具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能力，將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi)；

●針對(duì)有水汽控制要求的宇航級(jí)空封器件，提供PPM級(jí)內(nèi)部水汽成分分析，保證空封元器件特殊使用要求。